Semi-conducteurs. Page 296 sur 485. Avtronic

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Semi-conducteurs

10167 articles disponibles

Accessoires de montage pour transistors

5917

Circuits intégrés divers

193

Circuits logiques série 4000

298

Circuits logiques série 74

529

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

166

Diodes Transils

225

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

102

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

2377

Transistors

141

Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: NJW1302 à OB2268CP (Page 296 sur 485)

Transistor NJW1302

12.15€ TTC

34 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 250V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-3P. Gain Hfe: 45(min). Paire: NJW3281. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension Vcb: 250V. Puissance: 200W.

Tarifs dégressifs

Transistor NJW3281

13.10€ TTC

30 En stock

Transistor NPN NJW3281 250/250V 15A 200W 30MHz. Vce maxi: 250 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-3P. hFE: 45(min). Constructeur: ONS. Paire: NJW1302. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension collecteur/base maxi: 250 V. Puissance: 200 W

Tarifs dégressifs

Transistor NP82N055PUG

9.13€ TTC

38 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 55V 82A. Référence d'origine constructeur: NP82N055PUG-E1-AY. Marquage boîtier: 82N055. Boîtier: TO-263 (MP-25ZP). Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 82A. Puissance: 142W. Résistance Rds: 4.1 milliOhms.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD20N06L

3.98€ TTC

87 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 60W. Rds: 0.039 Ohm. Boîtier: TO252 DPAK. Logic Level.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD2955-1G

2.69€ TTC

107 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohm. Boîtier: TO-251 (i-Pak). Marquage CMS: NT2955.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD2955T4

3.42€ TTC

193 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Marquage CMS: NT2955.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD3055-094T4G

3.19€ TTC

64 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 48W. Rds: 0.084 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 55094G.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD3055-150T4G

2.91€ TTC

42 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 9A. Puissance: 29W. Rds: 0.122 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak) Marquage CMS: 3150G.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD3055L104-1G

2.91€ TTC

51 En stock

Transistor NTD3055L104-1G N-MOS 60V 12A/45Ap. 48W 0.089R Log-L. Power MOSFET. Logic Level. ID puls: 45A/10uS. Constructeur: ONS. Boîtier: TO-251(i-Pak) Kód: 55L104G. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.089.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD3055L104G

2.69€ TTC

149 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 48W. Rds: 0.089 Ohm. Power MOSFET. Logic Level. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 55L104G.

Tarifs dégressifs

Transistor NTD4804NT4G

4.82€ TTC

32 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 124A. Puissance: 107W. Rds: 0.0034 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 4804NG.

Tarifs dégressifs

Transistor NTGS3446

9.97€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 5.1A. Power MOSFET. Boîtier: TSOP6.

Tarifs dégressifs

Transistor NTMFS4744NT1G

6.61€ TTC

13 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 53A. Puissance: 47W. Rds: 0.0076 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4744N.

Tarifs dégressifs

Transistor NTMFS4833NT1G

7.67€ TTC

13 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 191A. Puissance: 114W. Rds: 0.0013 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4833N.

Tarifs dégressifs

Transistor NTMFS4835NT1G

7.11€ TTC

103 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 104A. Puissance: 63W. Rds: 0.0029 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4835N.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré NUD4001DR2

3.70€ TTC

2294 En stock

Circuit intégré NUD4001DR2. HIGH Current LED Driver 5V - 12V - 24V. Boîtier: SO-8. Vin: 30V. Iout: 0.5A. Constructeur: ON SEMICONDUCTORS. Référence constructeur: NUD4001DR2G.

Tarifs dégressifs

Mémoire EEPROM NVM3060

13.83€ TTC

11 En stock

Mémoire EEPROM NVM3060. EEPROM 512x8 bit. Boîtier: 8p. Constructeur: ITT.

Tarifs dégressifs

Circuit régulateur de tension à découpage OB2212AP

13.22€ TTC

3 En stock

Circuit régulateur de tension à découpage OB2212AP. Pwm Power Switch 8P.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré OB2263AP

17.30€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré OB2263AP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: DIP-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré OB2268AP

28.06€ TTC

134 En stock

Circuit intégré OB2268AP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: DIP-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré OB2268CP

27.44€ TTC

171 En stock

Circuit intégré OB2268CP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: SO-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

Tarifs dégressifs

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Transistor NJW1302

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 250V. Courant collecteur maxi: 15A. Boîtier: TO-3P. Gain Hfe: 45(min). Paire: NJW3281. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension Vcb: 250V. Puissance: 200W.

Transistor NJW3281

Transistor NPN NJW3281 250/250V 15A 200W 30MHz. Vce maxi: 250 V. Courant de collecteur maxi: 15 A. Boîtier: TO-3P. hFE: 45(min). Constructeur: ONS. Paire: NJW1302. Fréquence maxi: 30 MHz. Tension collecteur/base maxi: 250 V. Puissance: 200 W

Transistor NP82N055PUG

Transistor CMS MOSFET canal N 55V 82A. Référence d'origine constructeur: NP82N055PUG-E1-AY. Marquage boîtier: 82N055. Boîtier: TO-263 (MP-25ZP). Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 82A. Puissance: 142W. Résistance Rds: 4.1 milliOhms.

Transistor NTD20N06L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 60W. Rds: 0.039 Ohm. Boîtier: TO252 DPAK. Logic Level.

Transistor NTD2955-1G

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohm. Boîtier: TO-251 (i-Pak). Marquage CMS: NT2955.

Transistor NTD2955T4

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 55W. Résistance passante (Rds): 0.155 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Marquage CMS: NT2955.

Transistor NTD3055-094T4G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 48W. Rds: 0.084 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 55094G.

Transistor NTD3055-150T4G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 9A. Puissance: 29W. Rds: 0.122 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak) Marquage CMS: 3150G.

Transistor NTD3055L104-1G

Transistor NTD3055L104-1G N-MOS 60V 12A/45Ap. 48W 0.089R Log-L. Power MOSFET. Logic Level. ID puls: 45A/10uS. Constructeur: ONS. Boîtier: TO-251(i-Pak) Kód: 55L104G. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.089.

Transistor NTD3055L104G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 12A. Puissance: 48W. Rds: 0.089 Ohm. Power MOSFET. Logic Level. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 55L104G.

Transistor NTD4804NT4G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 124A. Puissance: 107W. Rds: 0.0034 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (CMS D-Pak). Marquage CMS: 4804NG.

Transistor NTGS3446

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 5.1A. Power MOSFET. Boîtier: TSOP6.

Transistor NTMFS4744NT1G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 53A. Puissance: 47W. Rds: 0.0076 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4744N.

Transistor NTMFS4833NT1G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 191A. Puissance: 114W. Rds: 0.0013 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4833N.

Transistor NTMFS4835NT1G

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 104A. Puissance: 63W. Rds: 0.0029 Ohm. Power MOSFET. Boîtier: SO-8FL. Marquage CMS: 4835N.

Circuit intégré NUD4001DR2

Circuit intégré NUD4001DR2. HIGH Current LED Driver 5V - 12V - 24V. Boîtier: SO-8. Vin: 30V. Iout: 0.5A. Constructeur: ON SEMICONDUCTORS. Référence constructeur: NUD4001DR2G.

Mémoire EEPROM NVM3060

Mémoire EEPROM NVM3060. EEPROM 512x8 bit. Boîtier: 8p. Constructeur: ITT.

Circuit régulateur de tension à découpage OB2212AP

Circuit régulateur de tension à découpage OB2212AP. Pwm Power Switch 8P.

Circuit intégré OB2263AP

Circuit intégré OB2263AP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: DIP-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

Circuit intégré OB2268AP

Circuit intégré OB2268AP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: DIP-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

Circuit intégré OB2268CP

Circuit intégré OB2268CP. Contrôleur PWM pour alimentation à découpage. Constructeur: LITE-ON. Boîtier: SO-8. Fonction: Green Mode PWM Controller.

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